主要利用輝光放電（glow discharge）將氬氣（Ar）離子撞擊靶材（target）表面, 靶材的原子被彈出而堆積在基板（substrate）表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜來(lái)的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢很多。新型的濺鍍?cè)O(shè)備幾乎都使用強(qiáng)力磁鐵將電子成螺旋狀運(yùn)動(dòng)以加速靶材周?chē)臍鍤怆x子化,造成靶與氬氣離子間的撞擊機(jī)率增加, 提高濺鍍速率。一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電（glow discharge）將氬氣（Ar）離子撞擊靶材（target）表面，電漿中的陽(yáng)離子會(huì)加速?zèng)_向作為被濺鍍材的負(fù)電極表面，這個(gè)沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜。
一般來(lái)說(shuō)，利用濺鍍制程進(jìn)行薄膜披覆有幾項(xiàng)特點(diǎn)：

（1）金屬、合金或絕緣物均可做成薄膜材料。（2）在適當(dāng)?shù)脑O(shè)定條件下可將多元復(fù)雜的靶材制作出同一組成的薄膜。（3）利用放電氣氛中加入氧或其它的活性氣體，可以制作靶材物質(zhì)與氣體分子的混合物或化合物。（4）靶材輸入電流及濺射時(shí)間可以控制，容易得到高精度的膜厚。（5）較其它制程利于生產(chǎn)大面積的均一薄膜。
（6）濺射粒子幾不受重力影響，靶材與基板位置可自由安排。（7）基板與膜的附著強(qiáng)度是一般蒸鍍膜的10倍以上，且由于濺射粒子帶有高能量，在成膜面會(huì)繼續(xù)表面擴(kuò)散而得到硬且致密的薄膜，同時(shí)此高能量使基板只要較低的溫度即可得到結(jié)晶膜。（8）薄膜形成初期成核密度高，可生產(chǎn)10nm以下的極薄連續(xù)膜。（9）靶材的壽命長(zhǎng)，可長(zhǎng)時(shí)間自動(dòng)化連續(xù)生產(chǎn)。（10）靶材可制作成各種形狀，配合機(jī)臺(tái)的特殊設(shè)計(jì)做更好的控制及zui有效率的生產(chǎn)。

1、直流濺鍍（DC Sputtering）原理：（適合導(dǎo)體材料的濺鍍）

在真空濺鍍艙中打入Ar，電極加數(shù)KV的直流電，因而產(chǎn)生輝光放電。輝光放電將產(chǎn)生Ar電漿，電漿中因陰極電位降而加速（陰極帶負(fù)電荷），沖撞target表面，使target表面粒子濺射，濺射粒子沉積于substrate上，形成薄膜。

濺鍍于基板（substrate）的量正比于濺鍍裝置消耗電力，反比于氣體壓力及target到substrate的距離。

2、交流濺鍍（RF Sputtering）原理：（適合所有固體材料之濺鍍）

如果　target為絕緣體，則由于target表面帶正電位（target接負(fù)電（陰極）），因而造成靶材表面與陽(yáng)極的電位差消失，不會(huì)持續(xù)放電，無(wú)法產(chǎn)生輝光放電效應(yīng)，所以若將直流供電改為RF電源，則絕緣體的target亦可維持輝光放電。接RF電源后，電漿中電子移動(dòng)度將大于離子移動(dòng)度，target表面累積過(guò)剩電子，target表面直流偏壓為負(fù)電位，如此即可濺鍍。

為使電力充分導(dǎo)入放電，在高周波電源及電極間插入阻抗匹配電路。阻抗匹配電路與target電極間串聯(lián)電容器，絕緣體target也會(huì)激起負(fù)電位偏壓。此負(fù)電位約在高周波濺鍍施加電壓的峰值（實(shí)效值的倍）。

Target在水冷時(shí)同時(shí)施加RF高電壓，所以水冷配管要使用teflon等絕緣物，并用電阻高的冷卻水，放電阻抗一般為1~10，以將匹配電路整合成電源的50。

在越短的時(shí)間內(nèi)表面負(fù)電位增加越多的話，越容易濺鍍，所以在RF供電頻率容許范圍內(nèi)，增加RF頻旅可增加成膜率。

三、濺鍍注意事項(xiàng)：

3.1 濺鍍時(shí)若欲增加成膜率，以提高cycle time，通常以加大濺鍍電壓或降低Ar流量（減少Ar壓力）行之，但Ar流量若過(guò)低將產(chǎn)生無(wú)法形成輝光放電的危險(xiǎn)，故還是以調(diào)整濺鍍功率及電壓為準(zhǔn)。

3.2 當(dāng)靶材變薄后，由于靶與透明片距離增加，所以成膜率將減少，請(qǐng)適時(shí)調(diào)整成膜率。

3.3 當(dāng)僅濺鍍一種材質(zhì)的靶材時(shí)，請(qǐng)盡量降低透明片的溫度以使濺鍍粒子打到透明片上不致得到過(guò)多能量，因而破壞鍵結(jié)，又反彈回去（適用于CD、DVD）。但在鍍多層膜時(shí)，鍍第二層以上時(shí)即需提高溫度以使濺鍍面溫度與盡量與濺鍍粒子溫度接近，增加界面間的平整性（適用于CD-RW、DVD-RAM）。

3.4 Ar流量過(guò)高會(huì)造成濺鍍面粗糙或是孔洞增加，故請(qǐng)千萬(wàn)要適量。